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常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料

常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料收起

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    今日,长电科技宣布成功完成基于玻璃通孔(TGV)结构与光敏聚酰亚胺(PSPI)再布线(RDL)工艺的晶圆级射频集成无源器件(IPD)工艺验证。 TGV IPD示意图 据悉,此次工艺验证的核心突破在于技术路径的创新升级。长电科技以TGV技术为基础构建3D互连骨架,在玻璃基板上实现了电感、电容等关键无源结构的高效集成,并将传统平面电感升级为3D结构,有效降低了高频损耗,同时显著提升器件品质因数(Q值)
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